EUV光刻前的最后疯狂:DDR5内存狂飙 单条1TB不是梦

时间:2023-07-28 17:17:15来源:中关村在线


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随着制程工艺的不断进步,DRAM内存芯片也遇到了与CPU/GPU相似的微缩难题。解决这个问题的方法是使用EUV光刻机,但由于设备成本过高,目前还在尽可能利用DUV工艺。据悉,DDR5内存有望实现单条1TB的容量。 美光公司,作为首家推出24Gb核心DDR5内存的企业,近日再创新纪录,推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒。这种内存颗粒采用的是比1α工艺更先进的1β工艺,这也是美光最后的非EUV工艺。未来,如果不采用EUV工艺,美光将无法继续微缩。 虽然美光并未透露32Gb核心内存颗粒的具体速度,但其最大优势在于可以堆栈出单条1TB的内存条,只需32个8-Hi堆栈即可,而现有的24Gb核心无法实现这样的大容量。 然而,美光实际上并不打算推出如此大容量的内存条。明年开始量产32Gb核心后,首先会推出单条128GB、192GB和256GB的内存条,而512GB和1TB的内存条并未列入路线图,预计在2026年之前都不会推出。 此外,美光最近推出了HBM3 Gen2,容量达到了24GB,带宽为1.2TB/s。未来还将推出36GB的版本,2026年之后将推出下一代HBM,容量将达到36GB至64GB,带宽将达到1.5TB/s至2TB/s。在显存GDDR路线上,预计2025年将推出GDDR7,频率为32Gbps,核心容量为16-24Gb,带宽将超过128GB/s。

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